内存价格迎来创纪录暴涨！一季度内存价格较2025年第四季度飙升高达90%

据Counterpoint最新发布的《2月内存价格追踪报告》显示,2026年第一季度内存价格环比上涨80%-90%,创下历史最高季度涨幅。本轮暴涨由通用服务器DRAM价格大幅攀升主导,NAND闪存价格同步上涨80%-90%,叠加HBM3e产品价格走高,形成全品类、全板块加速上涨态势。

服务器DRAM需求激增成主要推手

2025年全球服务器出货量同比增长15%,推动DRAM需求持续扩张。通用服务器DRAM作为数据中心核心组件,其价格在2026年第一季度环比上涨90%,成为内存价格暴涨的核心驱动力。据行业数据显示,2025年全球服务器DRAM市场规模达到820亿美元,同比增长28%,其中企业级SSD需求增长带动NAND闪存价格上涨。服务器厂商为满足AI训练、大数据分析等高性能计算需求,加速采购高容量、高带宽内存模块,直接推高市场均价。

NAND闪存同步上涨80%-90%

2025年第四季度表现相对平稳的NAND闪存,在2026年第一季度同步上涨80%-90%。3D NAND技术迭代加速,96层及以上产品占比提升至65%,推动NAND闪存价格走高。2025年全球NAND闪存市场规模达到680亿美元,同比增长22%,其中企业级SSD需求增长30%,消费级SSD需求增长18%。随着5G、物联网设备普及,嵌入式存储需求激增,进一步加剧NAND闪存供应紧张局面。

HBM3e产品价格走高推动全品类上涨

HBM3e作为高性能计算核心组件,其价格在2026年第一季度走高,推动全品类内存价格上涨。2025年全球HBM市场规模达到120亿美元,同比增长45%,其中HBM3e占比提升至35%。HBM3e在AI、HPC等领域的应用扩展,推动其需求增长,进而推高价格。以英伟达H100 GPU为例,其搭载的HBM3e内存容量提升至80GB,带宽提升至2TB/s,直接拉动高端内存模块需求。

2025年市场背景与需求增长

2025年全球内存市场规模达到1500亿美元,同比增长25%。DRAM市场规模达到820亿美元,同比增长28%,NAND闪存市场规模达到680亿美元,同比增长22%。服务器、数据中心、AI、HPC等领域需求增长,推动内存市场扩张。2025年全球服务器出货量达到1500万台,同比增长15%,数据中心投资达到2000亿美元,同比增长20%。5G基站建设加速,推动通信设备内存需求增长;智能汽车普及,带动车载存储需求提升。

价格飙升的影响与应对策略

内存价格暴涨对下游行业产生显著影响。PC厂商面临成本压力,部分型号价格上调10%-15%;智能手机厂商通过优化供应链管理,部分型号价格保持稳定;数据中心运营商通过技术创新,如采用QLC SSD替代部分HDD,降低存储成本。企业通过库存管理、供应链调整、技术创新等策略应对成本压力。例如,企业增加库存以应对价格上涨,调整供应链以降低成本,开发新技术以提高内存效率。

未来展望与市场风险

内存价格趋势取决于供需关系和技术创新。2026年内存价格有望继续上涨,但需关注供需平衡和技术突破。HBM3e产能扩张、3D NAND技术迭代、内存效率提升等技术创新有望缓解价格压力。然而,地缘政治、供应链中断、需求波动等市场风险仍需警惕。行业分析师预测,若全球供应链稳定及地缘政治风险可控,2026年内存价格涨幅有望收窄至30%-40%,但短期内价格仍将维持高位。

内存价格迎来创纪录暴涨！一季度内存价格较2025年第四季度飙升高达90%